2019 Q2 Hynix የሁለተኛ ትውልድ የ 10 nm ሂደት ትውስታን ያስገኛል

የ SK hynix በቅርቡ ኩባንያው የመጀመሪያውን የ 10 ናኖሜትሪ ማምረቻ ሂደቱን (ማለትም 1X nm) የ DRAM ምርት እንደሚጨምር እና በሁለተኛ አጋማሽ የ 10 ናኖሜትር ማምረቻ ቴክኖሎጂ (1Y nm በመባልም ይታወቃል) መሸጥ ይጀምራል። አመት. ማህደረ ትውስታ ወደ የ 10nm ቴክኖሎጂ ሽግግርን ማፋጠን ኩባንያው የ DRAM ውጤትን እንዲጨምር ያስችለዋል ፣ በመጨረሻም ወጭዎችን ቀንሷል እና ለቀጣይ ትውልድ ትውስታ ዝግጅት ያደርጋል ፡፡

የ SK Hynix 1Y nm ምርት ቴክኖሎጂን በመጠቀም የተመረቱ የመጀመሪያዎቹ ምርቶች 8Gb DDR4-3200 ማህደረ ትውስታ ቺፕ ይሆናሉ። ባለ 1X nm ማምረቻ ቴክኖሎጂን ተጠቅመው ከተሰሩት ተመሳሳይ መሳሪያዎች ጋር ሲነፃፀር የ 8Gb DDR4 መሳሪያዎችን ቺፕስ መጠን በ 20% ሊቀንስ እና የኃይል ፍጆታውን በ 15% ሊቀንስ እንደሚችል አምራቹ ገል saysል። በተጨማሪም ፣ የ SK hynix መጪው 8Gb DDR4-3200 ቺፕ ሁለት አስፈላጊ ማሻሻያዎች አሉት-ባለ 4-ደረጃ ማሸጊያ መርሃግብር እና ሴንስ ማጉያ መቆጣጠሪያ ቴክኖሎጂ።

ምንም እንኳን እነዚህ ቴክኖሎጂዎች በዚህ ዓመት ለ DDR4 እንኳን አስፈላጊ ቢሆኑም ፣ ሳም hynix የ 1Y nm ማምረቻ ሂደቱን DDR5 ፣ LPDDR5 እና GDDR6 DRAM ን ይጠቀማል ፡፡ ስለዚህ Hynix ለወደፊቱ ለመዘጋጀት በተቻለ ፍጥነት ለሁለተኛ ትውልድ የ 10 ናኖሜትር ማምረቻ ቴክኖሎጂን ማሻሻል አለበት ፡፡